型号:NE3509M04-A | 类别:RF FET | 制造商:CEL |
封装:SOT-343F | 描述:AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI |
详细参数
类别 | RF FET |
---|---|
描述 | AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI |
系列 | - |
制造商 | CEL |
晶体管类型 | HFET |
频率 | 2GHz |
增益 | 17.5dB |
电压_测试 | 2V |
额定电流 | 60mA |
噪音数据 | 0.4dB |
电流_测试 | 10mA |
功率_输出 | 11dBm |
电压_额定 | 4V |
封装/外壳 | SOT-343F |
供应商设备封装 | M04 |
包装 | 散装 |
供应商
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240-DIMM
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背板 - 硬公制,标准
FCI
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轴向
RES 825 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
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存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE SDRAM DDR2 512MB 240DIMM
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RF FET
CEL
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MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89
- NOSE227M006R0080
氧化铌
AVX Corporation
2917(7343 公制)
CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
- NLFC453232T-4R7M-PF
固定式
TDK Corporation
1812(4532 公制)
INDUCTOR SHIELD 4.7UH 20% 1812
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RES 86.6 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
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1812(4532 公制)
INDUCTOR SHIELD 6.8UH 20% 1812
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非标准
INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
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200-SODIMM
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